Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Shmid V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Shmid V. 
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers [Електронний ресурс] / V. Shmid, A. Podolian, A. Nadtochiy, O. Korotchenkov, B. Romanyuk, V. Melnik, V. Popov, O. Kosulya // Ukrainian journal of physics. - 2019. - Vol. 64, № 5. - С. 415-424. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2019_64_5_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 929.369 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Shmid V. 
Photovoltaic Characterization of Si and SiGe Surfaces Sonochemically Treated in Dichloromethane [Електронний ресурс] / V. Shmid, A. Podolian, A. Nadtochiy, D. Yazykov, M. Semen'ko, O. Korotchenkov // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 1. - С. 01023-1-01023-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_1_25
Процеси рекомбінації та захоплення електронів і дірок через поверхневі центри рекомбінації та захоплення суттєво впливають на ефективність різних фотоелектричних пристроїв. Через це у процесі виробництва таких пристроїв значну увагу приділяють пасивації поверхонь. Різні аспекти пасивації поверхні Si та SiGe достатньо широко розглянуто в літературі. Зокрема, показано, що сонохімічна обробка поверхні, наприклад, в хлороформі (CHCl3), може значно покращити фотоелектричний відгук. У даній роботі показано, що й інший карбонмісткий реакційноздатний поверхневий травник, дихлорметан (CH2Cl2), використаний у сонохімічному реакторі, може ефективно впливати на величину поверхневої фотоерс в зразках Si та SiGe. Дослідження рентгенівської дифракції показали, що шар сплаву Si - Ge утворює тверді розчини Si в Ge (що містить приблизно 59 ат. % Si) та Ge в Si (наближено 90 ат. % Si). У монокристалічному Si одержано збільшення на порядок величини сигналу фотоерс із трохи затягнутою кривою її релаксації. В SiGe це збільшення фотовідгуку складає біля 50 %. На відміну від Si, сонохімічна обробка поверхні SiGe призводить до прискорення короткочасної компоненти й уповільнення довготривалої складової сигналу поверхневої фотоерс, що описується подвійною експоненціально спадаючою функцією. Оскільки дихлорметан виступає як джерело вуглецю, можна припустити, що звільнений під час сонохімічної обробки вуглець ефективно пасивує вільні кремнієві зв'язки. Зазначено, що сонохімічна обробка має потенціал використання для пасивації поверхонь у виробництві сонячних батарей на основі Si та SiGe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 368.445 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського